檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "氮化鎵".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵高電子遷移率電晶體"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
現今電力電子元件多由矽作為主要的材料,在過去半世紀的研究中發現,矽材料已經逐漸達到物理限制瓶頸,替代矽之新材料也逐漸被發現,包含兩種或更多元素所構成之化合物,這種具有高潛力的半導體稱為「化合物半導體…
2
氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下,傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重,電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升;也導致閘極產生漏電路徑,使電…
3
氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟,除了穩定性提高外,更有適用於不同需求的規格可供選擇,在許多方面都比現有的矽功率開關還要有更佳的特性,得以使電路操作在更高的頻率上。 因此本文將氮化鎵電…